MCRI FH系列原子層沉積系統

原子層沉積（ALD）是一種前沿的納米結構制造與表面工程技術。該技術通過交替發生的表面飽和化學反應實現原子級精度的可控薄膜生長，具有沉積溫度低、保形性好、原子級厚度控制能力、工藝可靠性和重復性好等特點。目前已被開發的ALD過程可用于合成超過150種單質和化合物，包括金屬氧化物、氮化物、硫化物、磷化物、碳化物，部分金屬及非金屬單質，以及部分無機-有機混合高分子和有機高分子薄膜。ALD適用于對各種材料表面進行精確修飾改性以及多種納米結構的可控合成，可廣泛用于半導體與集成電路、平板顯示、太陽能電池、納米材料、催化劑、防腐蝕保護層、薄膜分離、清潔與可再生能源、生物與醫療、特種材料表面改性、空間器件表面防輻射等領域。

MCRI FH系列原子沉積系統介紹

主要特色：

MCRI FH系列原子層沉積系統由西安近代化學研究所海外引進人才馮昊研究員團隊研制。馮昊研究員長期從事原子層沉積技術基礎、設備開發及應用研究，在針對粉體材料的原子層沉積技術領域頗有建樹。FH系列原子層沉積設備定位為多功能科研型ALD設備，主要用于各類粉體材料樣品的制備，也可兼容常規的平面基底表面ALD薄膜沉積功能，并特別適用于高長徑比管件的內壁或外壁表面ALD薄膜沉積。FH系列原子層沉積設備采用模塊化設計，性能先進，技術成熟，使用、維護簡便，功能可擴展性強（支持升級改造，兼容QCM、MS等在線表征儀器），可以根據用戶需求進行非標設備開發。該設備可制備的材料包括氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、氧化鋅、氧化硅、氧化鐵、氧化鈷、氧化銅、氧化釩、氧化鈰等數十種氧化物，鉑、鈀、銥、釕等貴金屬單質，以及聚酰亞胺、聚脲等聚合物材料。

技術優勢：

西安近代化學研究所馮昊研究員團隊長期（10年以上）專業從事各類微納粉體材料（如含能材料、催化劑、電極材料等）以及多種功能器件的ALD表面修飾改性技術研究。近年來，在相關技術領域發表高水平SCI科研論文20余篇，申請專利十數項。團隊目前已開發出數套擁有自主知識產權的多功能科研型和應用型ALD裝置，其中科研型ALD設備已實現商業化應用，目前已經向國內部分高校和科研院所提供了相關的ALD技術和設備產品；團隊的“多功能模塊化原子層沉積系統”項目獲得2019年中國創新創業大賽技術融合專業賽二等獎。團隊具備ALD設備研發、ALD機理剖析、ALD過程開發、ALD樣品制備、ALD設備操作、維護，ALD技術培訓等科研業務能力，并在ALD納米材料制備與ALD表面工程領域積累了豐富的經驗，是國內為數不多的具備“產—學—研”全創新鏈條的ALD創新科研團隊，團隊于2018年入選首批國防科工局科技基礎創新團隊。

3. 業務范圍：

（1）銷售FH系列原子層沉積系統；

（2）可根據用戶需求，定制非標原子層沉積設備；

（3）承接各類ALD過程開發和ALD樣品制備等技術服務；